近日,中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆。该项技术突破,实现了工艺过程中对
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党委书记郑吉春走访中科院微电子研究所-北京印刷学院校报电子版《北京印刷学院》
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双流打造千亿级新兴电子信息产业集群-新华网特别报道
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超高速专用DSP芯片在微电子所研制成功(图)----中国科学院
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李惠军教授在孟尧微电子研发中心接待了来访的
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中科院微电子研究所刘明研究员前来实验室进行
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由中国电子信息产业发展研究院主办
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