肖特基势垒 电子陷阱_肖特基势垒

得到了势垒高度φB0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中测出一个位于导带之下0.62eV的较深的电子陷阱。最后,采用稍加修正的肖特基势垒模型解释

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