同型异质结形成原理_同型异质结

为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,

第三节异质结半导体激光器的工作原理53.ppt

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