异质结半导体激光器_双异质结半导体激光器

GaAs材料与GaAl材料 Ga1-xAlxAs是指在GaAs材料中掺入AlAs而形成,叫作砷镓铝晶体,1-x,x是指AlAs与GaAs的比例。第三节异质结半导体激光器的工作原理 6/4/2018 1 B.反型

单异质结激光器

300x231 - 9KB - JPEG

分布反馈

287x300 - 21KB - JPEG

单异质结激光器

300x190 - 8KB - JPEG

上海交通大学激光等离子体教育部重点实验室

582x464 - 72KB - JPEG

异质结半导体激光器摘要.ppt

1152x864 - 103KB - PNG

【半导体激光器-上海昊量】-黄页88网

482x180 - 12KB - JPEG

基于半导体异质结THz激光器及其辐射机理研究

800x1168 - 331KB - PNG

InGaAsPInP双异质结激光器中的增益光谱,阈值

1211x539 - 107KB - PNG

半导体激光器相关知识详解及异质结发光二极管

504x340 - 60KB - PNG

单异质结激光器

800x509 - 37KB - GIF

一种具有P\/N异质结的半导体激光器芯片的量子

300x424 - 14KB - JPEG

光纤通信(第4版)\/Gerd Keiser

450x669 - 74KB - JPEG

2015第10课 第七章 半导体异质结激光器(2).pp

1152x864 - 562KB - PNG

友社区_华强电子网 _IC_电路图_半导体_电子论

650x452 - 58KB - GIF

【图】半导体激光器和异质结发光二极管 书籍

500x667 - 28KB - JPEG