2010年后,持续数十年的Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡正明教授在20年前开始探索并发明的FinFET和FD-SOI工艺,成为半导体产业仅有的两个重要选择。因为他的两
FinFET发明人胡正明获美国最高科技奖 - OFw
600x393 - 45KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
500x333 - 29KB - JPEG
FinFET发明人给FinFET和FD SOI加了个叫Seg
558x382 - 67KB - JPEG
FinFET发明人华人胡正明获美最高科技奖 -AE
587x257 - 29KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
500x341 - 26KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
600x400 - 175KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人-奥
600x399 - 154KB - JPEG
正明白宫获颁美国最高科技奖:FinFET发明人-华
600x400 - 177KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
600x400 - 177KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
600x393 - 270KB - PNG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人 -
400x300 - 17KB - JPEG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人-威
600x393 - 312KB - PNG
FinFET发明人胡正明 获颁潘文渊奖 - 半导体
296x371 - 113KB - PNG
华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人
600x400 - 178KB - JPEG
finfet 发明人胡正明
500x350 - 33KB - JPEG