p型mosfet_p沟道增强型mosfet

本发明公开了一种P型MOSFET的制作方法,包括在衬底上形成P型MOSFET的一部分,包括在衬底上方的假栅叠层以及围绕假栅叠层的栅极侧墙;去除假栅叠层以形成栅极开口;在

P型MOSFET这样并联,可以吗?

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