缺陷载流子_载流子

经过积分发现禁带中的缺陷能级被2个电子占据,既可以俘获2个空穴(这个想法对不对)但是如何判断此缺陷能级是俘获一个空穴preferable,还是俘获2个更为preferable。有没有什

调节高载流子浓度和密集晶体缺陷实现n型锑掺

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