掺杂硼的多晶硅电阻率_硼掺杂石墨烯

【摘要】:本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂LPCVD多晶硅薄膜电阻率的温度特性.在室温～450℃较高温度范围,实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值,理论分

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