三星 nand 存储卡_三星nand_flash

三星电子宣布用30 nm级制程工艺开发出世界上首枚64 Gb多电平单元体系结构(一种可用一个单晶体管存储器单元进行多位存储的闪速存储器技术) NAND闪存芯片。在闪存作

三星NAND芯片减产 全球存储卡价格将暴涨_沈

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三星20nm NAND内存卡进入试产阶段 | 微型计

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大有可为 三星Micro存储卡推出256GB新品!

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五防金属急速nand闪存 三星Bar U盘评测-IT16

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