单晶硅主要生长方法_单晶硅生长方法

本文通过通过物理方法打磨加化学方法来去除加热器上面的 SiC ,并通过减少单晶炉内碳毡层数以避免炉内纵向温度梯度的变化对单晶硅生 长过程的影响。 2 .单晶炉内 SiC 的

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