本发明的单晶硅生长方法的详细步骤包括:将表面生长氮化硅的硅片及多晶硅碎块共同置于石英坩埚中,以预定温度熔化;施加磁场;进行引晶步骤:采用晶种以预定拉晶速率向上拉
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