赵勇兵,张韵,程哲,黄宇亮,张连,刘志强,伊晓燕,王国宏,李晋闽.具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J].发光学报, 2016, 37(5): 578-5
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