碳化硅衬底 Silicon carbide Substrate 结构分子式: SiC (6H) 形态: 单晶 晶体结构: 六方晶系 a = 3.08 c = 15.12 Å 熔点: 2700°C subl. 制备方法: Lely 晶向: (0001) 晶向精
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