宽禁带器件的优点_宽禁带器件

SiC为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点,这些特点的具备使得其可以在传统器件所不能

宽禁带SiC及GaN功率器件的发展状态及应用--

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揭开宽禁带半导体电力电子器件产业化序幕_中

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总投资14亿 沧州建宽禁带化合物半导体芯片生

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宽禁带半导体材料与工艺

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契合国家发展战略,超宽禁带半导体研究待突破

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超宽禁带半导体及其他新型半导体材料发展动向

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第三代半导体崛起 中国照明能否弯道超车?

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