宽带隙半导体发展_宽带隙半导体

宽带隙半导体材料是室温下禁带宽度大于2.2 eV的半导体。主要用于短波长发光器件、紫外光探测和高温、高功率电子器件。. 清除历史记录 声明:百科词条人人可编辑,词条创

契合国家发展战略,超宽禁带半导体研究待突破

551x312 - 46KB - JPEG

香山会议研讨纳米能源和压电(光)电子学发展前

644x421 - 653KB - PNG

汽车电子发展需要先进的半导体技术支持 | 爱板

400x500 - 65KB - JPEG

国外军事和宇航应用宽带隙半导体技术的发展

715x526 - 36KB - PNG

国外军事和宇航应用宽带隙半导体技术的发展

800x1203 - 334KB - PNG

新型宽带隙半导体材料为深紫外激光器发展提供

493x318 - 26KB - JPEG

中共陕西省委军民融合发展委办公室来西电调研

2000x1333 - 219KB - JPEG

新型宽带隙半导体材料为深紫外激光器发展提供

500x339 - 21KB - JPEG

俭省长来校调研考察 寄语顶天立地创新发展-西

620x424 - 190KB - JPEG

学院李济生院士来校参观座谈 共谋学校发展-西

620x396 - 181KB - JPEG

什么是宽带隙半导体材料

300x225 - 7KB - JPEG

拯救摩尔定律,宽带隙半导体表现超越硅_格格妈

540x300 - 181KB - JPEG

【西电影像】带你走进宽带隙半导体重点实验室

620x413 - 176KB - JPEG

【西电影像】带你走进宽带隙半导体重点实验室

620x413 - 208KB - JPEG

超宽禁带半导体及其他新型半导体材料发展动向

630x427 - 53KB - JPEG