宽禁带材料优点_宽禁带材料

第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表,奠定了信息产业基础;以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率

以碳化硅为核心的宽禁带半导体材料将成为电子

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氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电

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高k介质宽禁带半导体材料的界面特性研究.doc

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5 宽禁带半导体材料.ppt 全文免费在线阅读-ma

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《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》郝跃、

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第三代宽禁带半导体应用简析

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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件\/郝跃

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