半导体材料的特性_半导体材料特性的书

低噪声指数的电气特性均远超过硅组件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁 GaN半导体材料的应用首先是在发光器件领域取得重大突破的。1991年,日本日亚(Nich

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