在晶体管的沟宽 W较大时,Qchw这一额外的电荷可以忽略;而当沟宽 W较小时,Qchw不能再忽略,使得等效的耗尽层电荷密度增加,MOS管的阈值电压升高,即如上面右图所示. 实际
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