某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触,组成肖特基势垒二极管,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=5×1016cm-3,试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中
电子和空穴\/施主和受主 - 电子百科 - 电子标准网
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