本征、掺杂形成的载流子迁移率与温度的关系 StAnger樱|2012-01-25 |举报 共享文档 共享文档是百度文库用户免费上传的可与其他用户免费共享的文档,具体共享方式由上传人
调节高载流子浓度和密集晶体缺陷实现n型锑掺
600x776 - 81KB - JPEG
【Hall8800霍尔效应测试仪测试载流子浓度迁移
400x400 - 16KB - JPEG
在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化
608x480 - 40KB - JPEG
中国科大在黑磷低维原子晶体中实现高迁移率二
524x258 - 20KB - JPEG
半导体电阻率及其与杂质浓度和温度试卷.pptx
1152x864 - 82KB - PNG
gan基异质结高电子迁移率晶体管的关键机理研
800x1168 - 412KB - PNG
i2O2Se半导体材料薄膜具备较高电子迁移率和
600x254 - 21KB - JPEG
模拟集成电路分析与设计MOS器件物理.ppt 87
960x720 - 38KB - PNG
第4章-1-弱场下的载流子输运-清华大学半导体
800x565 - 53KB - PNG
物体检测基于OH003 OH004的设计
403x259 - 47KB - JPEG
太阳能学报980116
467x222 - 14KB - JPEG
复旦大学微子半导体器件第三章电导率.ppt
1152x864 - 5KB - PNG
复旦大学微电子半导体器件第三章电导率.ppt全
1152x864 - 45KB - PNG
电化学1电化学基本概念导电机理迁移数电导率
1152x864 - 26KB - PNG
电化学-1电化学基本概念导电机理迁移数电导率
1152x864 - 123KB - PNG