霍尔元件半导体的载流子浓度是多少以A3144e为例工作电压 24V输出反向击穿电压Vce50V输出低电平电流IOL50mA工作环境温度TAE档: -20~85℃,L档: -40~150℃贮存
物理所等铁基磷族化合物超导体高压研究获进展
542x389 - 163KB - JPEG
霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细
965x1414 - 287KB - JPEG
调节高载流子浓度和密集晶体缺陷实现n型锑掺
600x776 - 81KB - JPEG
BJT基区中少数载流子浓度分布的形式 \/ 反向电
479x289 - 33KB - JPEG
本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然
355x250 - 46KB - JPEG
半导体载流子浓度
1080x810 - 53KB - JPEG
【求助】霍尔效应测试载流子浓度为何有正有负
300x296 - 10KB - GIF
载流子浓度与光学带隙有什么关系-半导体材料
416x347 - 156KB - PNG
半导体的少数载流子浓度有什么决定
420x307 - 12KB - JPEG
载流子浓度-基础知识-电子元件技术网电子百科
553x237 - 18KB - GIF
载流子浓度与光学带隙有什么关系-量子阱中载
479x305 - 32KB - JPEG
载流子浓度
300x187 - 6KB - JPEG
掺杂半导体中载流子浓度的数值计算毕业设计论
993x1404 - 51KB - PNG
混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算.pdf
800x1172 - 275KB - PNG
P-N结中的载流子浓度保持平衡值-技术资料-51
449x217 - 51KB - PNG