在此基础上推得了低温区硅本征载流子浓度的简明表达式,计算误差小于3%.一、引言硅 的低温公式,因而在~些设计中会遇到许多困难.本征载流子浓度 (丁)可表示为 )一CIT (一
算在300K的条件下, GaN 的本征载流子浓度的
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本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然
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本征载流子_非本征载流子_当温度升高时,本征
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什么是本征半导体?本征半导体载流子浓度
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【GB\/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定
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