情形下漏电流密度为J=2 O 3作为栅介质的MOS电容样7 . 4 2 9 8 1 O-2A/ c m2@-2 V 在正偏压(衬底注入)情形下漏电流密度很小( J =1 . 9 7 6 3 1 O@2 V) .我们分析认为负偏压
三极管漏电流导致MOS无法关断,根源在于开关
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