处于非饱和区,所以漏电流没饱和,另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充:你找一本半导体器件的书找到MOS
高压MOS管漏电流|MOS管正品原包装
548x518 - 42KB - JPEG
【厂家直销场效应管,高压大电流MOS管,YMP3
574x737 - 59KB - JPEG
高压MOS管漏电流|MOS管正品原包装
294x296 - 7KB - JPEG
高压mosfet漏电流|MOS管漏电流小
272x278 - 7KB - JPEG
高k栅介质硅MOS器件栅极漏电流模型及制备工
800x1131 - 114KB - PNG
三极管漏电流导致MOS无法关断,根源在于开关
488x350 - 85KB - JPEG
一种补偿MOS器件栅极漏电流的装置及方法
320x487 - 22KB - JPEG
米勒电容对高压MOS管安全的影响及其解决办
446x408 - 12KB - PNG
请问:这是mos管漏电流吗-综合电源技术-世纪电
600x377 - 34KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
498x310 - 27KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
2392x1358 - 312KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
586x410 - 58KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
604x395 - 21KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
500x368 - 39KB - JPEG
[30P]mos器件栅极漏电流_mos器件栅极漏电流
350x450 - 19KB - JPEG