第26卷第12期2005年12月半导体学报CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORSV01.26No.12Dec.,200590nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性*陈海峰马晓华郝跃曹
关于RF NMOS管的衬底接法 - Analog\/RF IC 设
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同步整流buck的低边nmos功率管的衬底PN结导
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LVS时layout比原理图多出了一个引脚,Nmos管
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一种衬底触发的栅极接地NMOS管
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改善开关电流电路主要误差的方案
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优秀的cadence实验报告作业
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开关电流电路主要误差的改善
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开关电流电路主要误差的改善_模拟技术_电子
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改善开关电流电路主要误差的方案,解决方案
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杭州电子科技大学模电标准卷 2.doc
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NMOS\/PMOS\/CMOS区别 以及 NMOS 概念 基
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解决方案:改善开关电流电路主要误差的方案 -
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LVS时layout比原理图多出了一个引脚,Nmos管
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基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究
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请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P
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