变。温度升高,刚开始由杂质能级电离,多子少子浓度变化不同,此时多子来自杂质及本征激发,而少子来自本征激发。温度再升高,致使杂质全部电离后,半导体处于饱和区。温度继
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
368x269 - 20KB - JPEG
(2010?宁夏)用对温度敏感的半导体材料制成的
503x514 - 266KB - PNG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻,
552x294 - 45KB - JPEG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻,
495x295 - 18KB - JPEG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻,
433x334 - 19KB - JPEG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
325x251 - 11KB - JPEG
(11分)用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏
213x291 - 17KB - JPEG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
414x287 - 64KB - PNG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
493x221 - 32KB - PNG
(2010宁夏)用对温度敏感的半导体材料制成的某
345x246 - 41KB - PNG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
252x234 - 7KB - PNG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
349x172 - 21KB - PNG
(2010宁夏)用对温度敏感的半导体材料制成的某
428x184 - 92KB - PNG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻R
203x152 - 7KB - JPEG
用对温度敏感的半导体材料制成的某热敏电阻,
445x195 - 31KB - JPEG