氮化镓功率半导体器件技术,作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体
浅谈功率半导体的技术与未来产业发展 - 功率器件
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两大挑战有碍GaN器件全线铺开 价格有望雪崩
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新一代功率半导体替代传统硅器件从抢占IGBT
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aphlux研发出更亮的LED_中国半导体器件应用
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氮化镓便宜价格 质量好吗
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用十年,激光照明时代已来?_中国半导体器件应
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氮化镓VS碳化硅 谁是最具潜力第三代宽禁带半
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第三代半导体材料产业中国将走在世界前沿_半
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半导体材料的发展史-技术文章-RF技术社区
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需求逐渐起量 GaN市场商机无限_中国半导体照
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SiC\/GaN功率半导体产值 2020年破10亿美元 -
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