本人签名:导师签名:日期:日期:摘要 I摘要应变硅具有载流子迁移率高、能带结构可调,并与硅的微电子技术相兼容等优异特性,已成为高速/高性能半导体器件与集成电路的研究发
应变硅MOSFET载流子迁移率增强机理研究与
833x1179 - 219KB - PNG
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究.pdf-综
800x1131 - 64KB - PNG
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究-微电
800x1131 - 49KB - PNG
非晶硅的物理特性
386x272 - 18KB - JPEG
单轴应变硅能带结构及其载流子迁移率的研究.
800x1131 - 5KB - PNG
广东工业大学半导体器件物理pnp三极管课程设
533x301 - 87KB - PNG
薄膜材料技术与物理
410x399 - 16KB - JPEG
硅时代的终结者-《石墨烯、SiC、 GaN》 - 材
400x287 - 26KB - PNG
载流子迁移率-大学\/经济\/管理\/会议论文_大专\/博
212x300 - 7KB - JPEG
国家为何如此重视石墨烯?
500x369 - 23KB - JPEG
硒化铟--石墨烯和硅的 黄金分割点 ,有望成为下
640x309 - 21KB - JPEG
堺工厂展示LTPS面板:载流子迁移率更高_中华
330x220 - 16KB - JPEG
科学网-高迁移率的有机亚微米沟道晶体管
230x300 - 27KB - JPEG
廉价衬底上晶化硅薄膜的低温制备及其生长机制
800x1168 - 46KB - PNG
载流子迁移率提高技术-技术资料-51电子网
456x193 - 122KB - PNG