外延生长动力学 缺陷演化【相关词_ 外延生长】

由于薄膜生长的宏观演化与表面的原子运动和原子间的反应有关,这使得我们可以运用原子尺度模拟作为外延生长的理论描述(分子动力学【6】,蒙特卡洛动力模型【7-9】)。但

强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和

1101x731 - 260KB - JPEG

减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所

320x441 - 21KB - JPEG

4H-SiC外延生长的缺陷控制方法研究.pdf

800x1131 - 5KB - PNG

Nano Letters:缺陷诱导MoS2纳米带外延生长及

600x685 - 68KB - JPEG

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法

320x452 - 16KB - JPEG

LED芯片MOCVD外延生长技术总结.ppt

960x720 - 48KB - JPEG

(精)第十三章 晶体生长和外延.ppt

960x720 - 89KB - JPEG

第一章-晶体生长和外延材料.ppt

960x720 - 53KB - JPEG

蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究.

800x1124 - 19KB - PNG

激光在LED剥离与划片中的应用

470x310 - 17KB - JPEG

300mm硅外延片表面颗粒缺陷的研究毕业论文

993x1404 - 60KB - PNG

[转载]LED产业发展前景分析_大浪

690x333 - 48KB - JPEG

产业 | 新材料石墨烯,如何称王? - 今日头条(To

640x390 - 32KB - JPEG

第三代半导体的衬底制备及同质外延项目启动

498x308 - 32KB - JPEG

硅衬底GaN基LED外延生长的研究

860x590 - 496KB - BMP