砷化镓制备【相关词_ 砷化镓制备方法】

电子迁移率约为硅材料的5.7倍。砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构,导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心,即K=0处,这使其具有较高的电光转换效率,是制备光电器件

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