随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究
化学气相沉积生长法
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