等: 0. 5 μm工艺 CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 243源极跟随器 M2、行选通管 M3组成,其中光敏二1引言极管采用 N阱 / P衬底结构,各有源区采用 LO- CMOS图像传
一种基于CMOS工艺射频有源滤波器的设计
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基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带
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带片上有源Balun的CMOS射频差分低噪声放大
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采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W
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基于018um+CMOS+RF工艺的宽带限幅放大器
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cmos管制作工艺的流程
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采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W
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针对工业及医疗等应用的安森美半导体CMOS图
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Leti发布研究成果实现标准CMOS工艺下硅光混
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第2章 CMOS工艺与版图
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标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
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一种高灵敏度的开关型CMOS霍尔磁场传感器-
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高性能CMOS集成电压比较器设计
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