深n阱【相关词_ 深n阱工艺】

本发明公开了一种深N阱工艺去除光刻胶的方法,包括以下步骤:对晶圆表面进行灰化处理,灰化处理包括:控制晶圆表面的灰化温度,使晶圆表面保持低于285℃的灰化温度,对光刻胶

一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计

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图2 (a)深N阱NMOS晶体管截面图

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巨头制程不对等 晶圆代工工艺、技术及趋势分

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使用可通过深n阱CMOS技术获得的纵向双极结

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