N阱CMOS芯片的设计微电任务n阱CMOS芯片制作工艺设计1、MOS管的器件特性参数 工艺方法和工艺条件(给出具体温度、时间或流量、速度等)并进行结深或掩蔽有效性的
一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计
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巨头制程不对等 晶圆代工工艺、技术及趋势分
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亚微米和深亚微米MOS器件
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