硅基材料外延生长博士后【相关词_ 硅基氮化镓外延片】

极有可能将氮化镓基的器件集成到硅基大规模集成电路之中 . 硅衬底与 GaN ( 纤锌矿结 薄膜的外延生长是在真空反应炉里进行的 . 生长系统背景真空度优于 1 × 10 - 5 Pa . 它

硅基高κ材料的分子束外延生长--参考论文文献

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真空反应法外延生长硅基GaN材料.pdf

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分子束外延生长Er2O3高k栅介质材料的物理特

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一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底

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硅基板氮化镓外延薄膜光电元件晶片_其他电子

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1. 新型硅基双异质外延SOI材料 Si r_Al2O3 Si制

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硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能-新世

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硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法

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在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜

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号称解决了困扰硅基GaN材料应用的技术难题,

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SITRI发布8英寸硅基GaN外延晶圆产品 解决了

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