微MICROPROCESSORS处理机高阻衬底CMOS外延工艺研究刘旸,唐冬,孔明(中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳11003)摘要:针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规C
硕士论文-固相外延COSI2薄膜技术在深亚微米
993x1404 - 43KB - PNG
N阱CMOS工艺流程-经典.ppt
1152x864 - 937KB - PNG
CMOS集成电路工艺流程解说.pptx
1152x864 - 271KB - PNG
两微米外延N阱CMOS艺的研究
109x154 - 10KB - JPEG
芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来
517x322 - 6KB - JPEG
欧盟为5G打造III-V族CMOS技术
500x255 - 28KB - JPEG
[转载]CMOS版图分析_stm2010
576x418 - 108KB - JPEG
超越7nm!欧盟启动5G芯片CMOS工艺研究 - 国
500x255 - 38KB - JPEG
欧盟为5G打造III-V族CMOS技术 - 集微网:老杳微
500x255 - 20KB - JPEG
欧盟为5G打造III-V族CMOS技术 - 我爱研发网 5
496x225 - 25KB - JPEG
浅析低成本CMOS图像传感器对医学技术发展前
392x203 - 17KB - JPEG
基于0.5μm CMOS工艺的新型BiCMOS集成运
400x155 - 14KB - JPEG
欧盟为5G打造III-V族CMOS技术_IC供应链_供应
500x220 - 12KB - JPEG
1.1 集成电路发展史简介_CMOS集成电路后端
353x248 - 68KB - PNG
解读射频前端及全球格局,5G必争之地
554x295 - 12KB - JPEG