n阱多晶硅栅cmos传输门剖面图【相关词_ n阱cmos工艺流程】

而PMOS发生在传输低电平时。下图给出了阈值损失的波形示意图。 CMOS传输门根据 为使传输速度快,要求ID大些,沟道长度L取决于硅栅多晶硅条的宽度,视工艺而定。一般L

p阱CMOS设计.ppt

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基于0.5μm CMOS工艺的新型BiCMOS集成运

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