一种集成电路后段铜互连工艺中降低通孔间介质材料的K值的方法,采用一表面具有阻挡层的半导体衬底,并在所述半导体衬底上设定通孔区域,其特征在于,包括:步骤01:在所述阻
铜互连工艺[半导体]_老古开发网文章
350x216 - 46KB - JPEG
半导体集成电路铜组合物工艺资料,半导体集成
400x400 - 15KB - JPEG
半导体电镀中45nm铜工艺面临的挑战-全球机械
332x400 - 28KB - JPEG
铜半导体沉淀方法工艺资料,铜半导体的制作方
300x300 - 17KB - JPEG
在半导体器件中实施铜连线的空隙工艺方法
320x487 - 19KB - JPEG
半导体后段工艺中布线技术的革命:基于铜的金
200x132 - 15KB - GIF
铜制程阻挡层\/种子层沉积工艺的最新进展[半导
500x229 - 40KB - JPEG
半导体引线键合工艺过程中的脱焊问题研究.pd
800x1131 - 209KB - PNG
安森美半导体推出HighQ硅-铜集成无源器件制
1102x661 - 79KB - PNG
铜制程阻挡层\/种子层沉积工艺的最新进展[半导
279x353 - 45KB - JPEG
铜制程阻挡层\/种子层沉积工艺的最新进展[半导
549x223 - 23KB - JPEG
半导体致冷元件工艺流程图
443x552 - 27KB - JPEG
半导体后段工艺中布线技术的革新-基于铝的金
367x208 - 24KB - JPEG
工艺礼品加工设备-供应凹凸模、冲头、铜工半
508x339 - 22KB - JPEG
铜CMP后的清洗工艺和填加剂在其中的作用[半
462x349 - 75KB - GIF