摘要:文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、250A,)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定
整机厚度更薄 功耗更小 小米2疯狂来袭-小米 M
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