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填充因子主要是串联电阻和并联电阻所影响。其中在并联简单说来就是制备高质量的晶体,减少电池内部缺陷。
FF是MPP的电流、电压之积与开路电压、短路电流之积的比例。简单的说,FF大小取决于器件在工作过程中的传输
晶体硅太阳能电池填充因子FF过低的原因及物理因素 zoomans|2010-05-04|暂无评价|0|0|简介|晶体硅
硅光太阳能电池的填充因子一般是60~85%, 填充因子,FF,是太阳能电池品质(串联电阻和并联电阻)的量度。
填充因子(FF).FF偏低的原因:?1、Rs偏高(参考Rs偏高的产生原因);2、Rsh偏2下载券 晶体硅太阳能电池填充 因.
填充因子持续偏低原因很多,由于表面效应、势垒区载流子的产生及复合、短路电流和填充因子都随Rs的增大而
填充因子FF过低的原因及物理因素 下载积分:30 内容提示:填充因子FF过低的原因及物理因素 文档格式:PDF|
填充因子持续偏低原因很多。当太阳电池两端开路时,即负载阻抗为无穷大时,通过太阳电池 的净电流J 为零,
ZnO/CdS/CdSe电池,尤其是那个尾巴,虽然增加了开路电压。但是严重降低填充因子。并联电阻不大,串联电阻