闪存是什么_中国存储产业崛起已成必然：2023年长江存储将赶“英”超“美”

2年11月27日019，由趋势科技主办的MTS2020存储行业趋势峰会在深圳举行。在当天的活动中，许多分析师对全球DRMA和NAND闪存市场进行了详细分析。至于国内的NAND闪存制造商长江存储，吉邦预计将在2023年在NAND闪存市场赶上“英国”并超过“美国”。此外，备受推崇的国内DRAM制造商福建金华的高管也出人意料地出现了。

本地化在即

中国的存储进口量已经占到全球存储产值的72.4%

随着5G、物联网、边缘计算、人工智能等技术的发展，数据的爆炸式增长得到了推动。

据国际数据中心预测，到2025年，全球物联网设备数量将达到416亿台，智能联网设备总数将达到1500亿台，如此大量的设备接入网络无疑会产生巨大的数据量。国际数据公司预测，2025年全球数据总量将达到175兆字节，比2017年的预测(163兆字节)高出约7%

和如此海量数据的产生也直接推动了以动态随机存取存储器和与非门闪存为代表的存储芯片产业的快速发展

然而，存储器芯片市场多年来一直被外国制造商占据。

根据TrendForce的统计，2018年五大“与非”闪存播放器分别是三星(35%)、东芝(19.2%)、西方数据(14.9%)、美光科技(12.9%)和SK Hynix (10.6%)前五大制造商总共赢得了92.6%的市场份额，如果加上第六大公司英特尔，这一份额将超过99%。在全球动态随机存储器市场上，三星垄断了43.9%，SK Hynix垄断了29.5%，美光科技垄断了23.5%，这三家公司赢得了96.9%的市场份额。

作为全球最大的电子产品制造商和重要的电子产品消费市场，中国对存储芯片有着巨大的需求。

根据中国海关总署发布的数据，2018年中国集成电路进口总额达到3120.58亿美元。其中，仓储进口额达到1230.83亿美元(进口额同比增长1188.99%)，占进口总额的39.4%< br>

数据显示，2018年全球半导体市场已达到4779.4亿美元，其中全球存储芯片市场约为1700亿美元换句话说，粗略估计显示，2018年中国的存储器进口占全球半导体市场的25.8%，占全球存储器芯片产值的72.4%。(SMIC注:目前尚不清楚海关统计的存储是否包括硬盘型存储)

显然，作为世界上最大的存储芯片消费国，如果存储芯片的独立性无法实现，那就意味着关键的生命线掌握在外国制造商手中。而且，存储芯片是数据最重要的载体，关系到各行各业信息数据的安全幸运的是，随着国内存储制造商长江存储和长新存储的大规模生产，国外制造商对存储芯片的垄断开始被打破。

国产与非门闪存领域取得突破

长江存储有望超越“英国”和“美国”

2年7月016日，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金和湖北分公司在武汉新核心投资成立“载体”——长江存储在国产存储领域据统计，长江蓄水总投资约为1600亿元。其中紫光集团占51.04%的股份

2年12月，以长江仓储为主体的国家仓储基地正式开工建设，包括3个全球最大洁净区的3D与非门闪存工厂、1栋总部研发楼及其他几栋配套建筑。预计项目建成后的总产量将达到30万件/月，年产值将超过100亿美元。

依托武汉新新现有的12英寸先进集成电路技术研发和制造能力，采用自主研发和国际合作的双轮驱动模式。长江存储已于2017年成功开发出中国首个3D与非门闪存芯片随着2018年32层NAND闪存在长江流域的大规模生产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。然而，这项技术不会影响市场，因为它与国际主流技术大不相同。

▲长江存储64层256Gb TLC 3D与非闪存

。相比之下，基于自主开发的Xtacking架构的64层256 GB tlc3d与非门闪存(今年9月长江存储正式宣布大规模生产)能够竞争当前的中低端市场。

特别值得一提。长江存储表示，闪存满足主流市场应用的要求，如固态硬盘和嵌入式存储。与目前业界市场上的64/72层3D与非门闪存相比，它在同代产品中具有更高的存储密度。

，主要是长江仓储自主开发的Xtacking架构。目前，“与非”闪存主要使用两种输入/输出接口标准，即英特尔/索尼/SK海力士/群联/西山丽/美光的ONFi。在去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中，输入/输出接口速度最高为1200兆字节/秒(1.2兆字节/秒)。第二个标准是Toggle DDR，三星/东芝正在推广，I/O速度高达1.4Gbps然而，大多数“与非”供应商只能提供1.0千兆位/秒或更低的输入/输出速度然而，长江存储的Xtacking体系结构成功地将输入/输出接口的速度提高到了3Gbps，相当于动态随机存取存储器DDR4的输入/输出速度。就

容量而言，根据计划，到2020年底，存储在长江流域的64层3D与非门闪存的容量预计将增加到每月60，000个晶片。2020年，长江存储将跳过96层，直接淘汰128层，力争进一步缩短与三星、东芝等公司的差距

值得一提的是，2018年10月12日，总投资240亿美元的紫光成都记忆制造基地项目启动。该项目占地约1200亩，将建设一条12英寸的3D与非门闪存晶圆生产线，并开展存储芯片、模块、解决方案及其他相关产品的研发、制造和销售。< br>

▲陈

，jgb技术研发中心副经理。据jgb technology DRAMeXchange research副经理陈介绍，长江仓储成都工厂预计于2020年第二季度投产，届时产能可能达到55000件/月，到2020年第四季度，产能可能攀升至20000件/月长江仓储武汉工厂目前的生产能力约为2万件/月，预计到2020年第四季度将达到5万件/月。届时，长江存储存储的3D与非门闪存的生产能力将达到7万块/月，已经接近英特尔的8.5万块/月。然而，与三星47万件/月的产能相比，仍存在巨大差距。全球3D与非闪存生产能力中仅有4.6%为

。不过，陈预计，随着长江存储新3D与非门闪存产能的不断提高，到2023年，长江存储在全球3D与非门闪存产能中的比重将增至10.8%。届时，该公司将“赶上超级联赛”，即超过英特尔(6.6%)和广美(10.3%)

在技术演进方面，前面已经提到，今年64层3D与非门闪存成功投产后，长江存储将跳过96层堆栈，直接淘汰128层堆栈，这也意味着长江存储将在2020年全面开发128层3D与非门闪存吉邦科技DRAMeXchange副研究经理伟表示，长江存储有望在2021年初实现128层TLC 3D NAND Flash的大规模生产届时，与三星、韩国海力士和东芝的技术差距将进一步缩小。< br>

在NAND闪存市场，陈也提到，2019年第三季度由于中美贸易因素和东芝的情况，闪存市场的供需将会出现结构性变化原工厂未来的投资相对保守，所以明年整个市场可能会缺货。然而，从2021年开始，短缺将有所缓解。“因为中国的长江水库已经开发，这个时候市场肯定不会平静。随着长江存储技术的不断提高，我们认为未来闪存行业将继续供过于求，直到一些企业退出。”对魏说道但他没有指出哪些公司可能会退出< br>

在国产动态随机存储器领域，

的长新存储器正在大规模生产，紫光已经强势进入市场。福建金华仍在努力进行

1和长新存储

2年9月017，国家大型基金宣布入股国内存储芯片制造商赵一创新，获得约11%的股份，成为其第二大股东随后，赵毅创新宣布与合肥工业投资控股集团签署合作协议，开发一款19纳米工艺的12英寸晶圆动态随机存储器，预算180亿元，赵毅创新贡献20%目标是开发具有19纳米技术的动态随机存储器，预计在2018年12月31日之前成功开发，即达到不低于10%的产品成品率(在整个晶片中测试的具有良好电性能的芯片的比例)该项目依托长新仓储

虽然长新仓储当时还是一家成立于2016年的初创公司然而，通过与奇梦达的合作，长新存储已经接收了超过1000万个与动态随机存取存储器相关的技术文件和2.8兆字节的数据，这也是长新存储的原始动态随机存取存储器技术来源之一。

经过几年的研发，合肥长新存储于2019年9月19日正式宣布，自主研发的基于19纳米工艺的8Gb DDR4芯片正式量产。

”长新的8Gb DDR4在当前市场上并不落后，具有很好的竞争力。再加上目前国内替代的趋势，我们不应该担心出售它。”关于存储在长新的动态随机存取存储器芯片的市场前景，中兴通讯技术研究部副总经理郭说< br>

根据规划，长新仓储合肥12英寸晶圆厂分为三期。第一阶段有120，000个晶片的全部容量，预计将分三个阶段实施。第一阶段预计每月完成40，000个晶圆，目前为20，000个晶圆，到2020年第一季度末将达到40，000个晶圆该项目第二阶段将于2020年规划和建设，17纳米技术的动态随机存储器的研发将于2021年完成。

从长新存储的现状和规划来看，虽然已经实现了8Gb DDR4的批量生产，但其容量仍然非常有限。即使明年第一阶段的月产量达到4万片，与明年第四季度全球前三大制造商的月产量130多万片相比，仍然是九牛一毛。但是可以预见，随着长新存储技术和生产能力的不断提高，未来它将在全球动态随机存储器市场占据重要地位。< br>

2年，紫光集团

除了长江存储的母公司长新存储已成功生产64层3D与非门闪存外，紫光集团于今年6月30日宣布，已决定成立紫光集团动态随机存取存储器事业部，以加快国内存储器的发展今年8月底，紫光集团与重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设一个动态随机存取存储器业务集团总部和一个存储芯片厂。预计今年年底开始施工。有消息称，紫光计划在2021年实现大规模生产动态随机存储器芯片。

数据显示，紫光集团早在2015年就开始布局动态随机存取存储器。首先，紫光集团招募高奇泉加入紫光集团。与此同时，紫光国威(原名同方国鑫)还收购了由任启伟团队创建的公司(现Xi紫光国鑫)。任启伟团队的前身是启明达公司Xi安研发中心。任启伟的团队一直从事动态随机存取存储器的研发。目前，该队人数约为500人。从紫光国威的年报披露来看，该团队的动态随机存取存储器产品销售收入约为每年5-6亿元人民币，且产品均为自制2015年，紫光集团还试图通过收购美光进入动态随机存储器和3D与非门领域，但美光的收购被美国政府阻止，未能实现其愿望。

需要指出的是，2006年长江仓储的子公司武汉新新成立时，选择了发展动态随机存储器。然而，当全球DRAM价格暴跌时，武汉新新被迫放弃DRAM生产，转而生产NOR闪存产品。自2016年并入长江存储后，紫光将切换到与非门闪存，并适时进行动态随机存取存储器的研发。

显然，紫光集团进入动态随机存取存储器领域是有预谋的。

11月15日，紫光集团正式宣布任命二田集团前CEO坂本幸雄为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，负责拓展紫光在日本市场的业务。

，在接受日本最新一期《钻石周刊》独家采访时，坂本幸雄表示，紫光的目标是在5年内生产动态随机存取存储器，他的工作是帮助实现这一目标。紫光将在日本神奈川县川崎办公室建立一个“设计中心”。该公司计划招聘70-100名工程师，并与中国的制造工厂密切合作，在大约2-3年内建立大规模生产系统。

3，福建金华

福建金华成立于2016年。是福建电子信息集团和晋江能源投资集团共同投资的先进集成电路制造企业，金华项目已被列入国家“十三五(2016-2020年)”集成电路产能重要布局，并得到国家专项建设基金，即福建安森实业投资基金的支持该基金由“国家集成电路产业投资基金(以下简称“大基金”)和福建省、泉州市、晋江市三级政府共同开发设立，目标规模为500亿元人民币。

2年11月017日，联电与福建金华集成电路公司合作的12英寸随机存取存储器(DRAM)生产线(金华项目)主厂房正式封顶。工厂主厂房面积为274，000平方米，将于2018年下半年投入使用。

根据规划，福建金华的制造技术将主要由联电实施。金华项目第一期总投资53亿美元，将于2018年第三季度正式投产。当时，32纳米工艺的12英寸晶片生产能力预计将达到每月60，000片。该公司的目标是最终推出20纳米产品，并计划到2025年分四个阶段每月生产24万件。

然而，由于福建金华与美国电灯公司之间的诉讼，美国当地时间10月29日将福建金华列入受出口管制的实体名单两天后，UMC还宣布暂停向福建金华提供研发援助此时，福建金华的DRAM几乎停滞不前。

根据SMIC的资料，当时福建金华已经有200台半导体设备到位，计划年底前进行少量芯片的试生产。预计2019年初将有数千块芯片投入生产，并将很快成为国内第一家大规模生产动态随机存取存储器芯片的制造商。然而，由于美国的禁令，许多相关设备和技术供应商停止了支持。

▲郭

，吉邦科技DRAMeXchange research副总经理。然而，道明汇研究有限公司副总经理郭在接受新志勋采访时表示，福建金华仍在低调经营。虽然美国供应商中断了他们的合作，金华并没有坐等死亡，而是转向日本和韩国供应商继续推进整个项目的运作。预计明年会有一些结果出来。

值得一提的是，在11月27日由TrendForce主办的MTS2020存储行业趋势峰会上，金华集成副总经理徐征也首次公开亮相，并发表了题为《基础DRAM市场趋势分析》的演讲虽然讲话中没有介绍任何有关金花的信息，但其代表金花公开露面，透露了一个积极的信号，即“金花仍在运作”

▲金华整合副总经理徐征

表示，对于SMIC提出的“金华与美光未来是否有和解的可能”这一问题，“无法预测，毕竟主动权掌握在美光手中”。就我个人而言，我认为和解对双方都是最有益的结果。“

值得注意的是，去年5月31日，中国反垄断机构正式启动了对三星、新鸿基和美光三家动态随机存取存储器芯片制造商的调查，以确认这三家制造商近年来是否在动态随机存取存储器市场价格飙升的情况下垄断了动态随机存取存储器的价格，以及该行业是否反映了与产品不合理捆绑相关的问题。在中国的动态随机存储器市场，美光的市场份额超过50%

此外，郭左戎还指出，“据我了解，三星和其他日韩制造商认为，中国存储行业的崛起是不可避免的，未来的战略可能更倾向于和平共处，而不是用价格战来压制它。””

作者:辛志勋-浪客简