半导体材料光刻胶公司_ 光刻胶：半导体技术壁垒最高的材料之一

平版印刷术是整个集成电路制造过程中最长也是最困难的过程，它需要大约50%的集成电路制造时间和大约1/3的集成电路制造成本。光刻胶是光刻工艺中最重要的消耗品，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要的影响。

平版印刷术是将图案从掩模转移到硅晶片上，为后续蚀刻步骤做准备在光刻过程中，需要在硅片上涂覆一层光刻胶。紫外线曝光后，光致抗蚀剂的化学性质发生变化。显影后，曝光的光致抗蚀剂将被去除，从而实现电路图案从掩模到光致抗蚀剂的转移。蚀刻后，电路图案从光致抗蚀剂转移到硅晶片。在蚀刻过程中，光致抗蚀剂起到防腐蚀的作用。

光刻胶分类

光刻胶根据不同的化学反应机理和显影原理可分为负性胶和正性胶它可溶于一些溶剂，但它是负胶，暴露后形成不溶性物质。另一方面，它不溶于某些溶剂，暴露后可溶于正胶。

从需求侧来看，光致抗蚀剂可分为半导体光致抗蚀剂、面板光致抗蚀剂和印刷电路板光致抗蚀剂其中，半导体光刻胶具有最高的技术壁垒光致抗蚀剂技术壁垒

光致抗蚀剂是半导体材料中最高的技术壁垒之一

光刻胶是典型的技术密集型产业，种类繁多，特异性强。不同用途的不同光刻胶曝光光源有不同的性能要求，如反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图案线条的精度等。导致对材料溶解性、抗蚀刻性、光敏性能、耐热性等的不同要求。因此，每种光致抗蚀剂所用的原料在化学结构和性能上都非常特殊，需要使用不同质量等级的光致抗蚀剂化学品。

光致抗蚀剂通常由四种组分组成:树脂聚合物、光敏物质、溶剂和添加剂树脂是光致抗蚀剂中最大的成分，构成光致抗蚀剂的基本框架。它主要决定光刻胶曝光后的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光敏物质是光致抗蚀剂的关键成分，对光致抗蚀剂的灵敏度和分辨率起着决定性的作用。

的分辨率、对比度和灵敏度是光刻胶的核心技术参数随着集成电路的发展，芯片制造的特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的核心技术参数包括分辨率、对比度和灵敏度等为了满足集成电路发展的需要，光刻胶正朝着高分辨率、高对比度和高灵敏度的方向发展。光致抗蚀剂市场现状目前，全球光致抗蚀剂市场基本上被日本和美国企业垄断光刻胶是一种生产工艺复杂、纯度要求高的高科技阻隔材料，需要长期的技术积累。日本的JSR、东京华英、新悦化工和富士电子占据了全球70%以上的市场份额，并处于市场垄断地位。

光刻胶市场需求逐年增加，2018年全球半导体光刻胶销售额为12.97亿美元随着对功率半导体、传感器、存储器和其他下游应用需求的扩大，光致抗蚀剂市场将在未来继续扩大。

由于光刻胶的高技术壁垒，国内高端光刻胶市场基本上被外国企业垄断特别是，高分辨率的KrF和ArF光刻胶基本上被日本和美国企业占据。

国内光刻胶制造商主要生产印刷电路板光刻胶，面板光刻胶和半导体光刻胶的生产规模相对较小在我国生产的光致抗蚀剂中，印刷电路板光致抗蚀剂占94%，液晶光致抗蚀剂和半导体光致抗蚀剂分别仅占3%和2%

国内光刻胶市场规模保持稳定增长，从2011年的30.4亿元增长到2018年的62.3亿元，复合增长率为11.59%预计2018年国内光刻胶市场将达到62.3亿元。

国内光致抗蚀剂需求，2011年光致抗蚀剂需求为35100吨，到2017年需求为79900吨，年均复合增长率为14.69%国内光致抗蚀剂需求预计在2018年达到84，400吨

国内光致抗蚀剂需求远大于本地生产，且差异逐年增加由于国内光致抗蚀剂起步较晚，目前技术水平相对落后，产能主要集中在印刷电路板光致抗蚀剂、全氮/全氮液晶光致抗蚀剂等低端产品上，而薄膜晶体管液晶显示器、半导体光致抗蚀剂等高科技阻隔产品的产能非常小，仍需大量进口，导致国内光致抗蚀剂的需求远远超过当地产量。

国内印刷电路板光刻胶替代进展迅速，与国外相比，平板光刻胶和半导体光刻胶之间仍有很大差距。从技术层面来看，印刷电路板光刻胶目前是中国最快的替代品。飞凯材料已经得到高端湿膜光刻胶领域下游制造商的验证。面板光致抗蚀剂的进展相对较快。目前，永泰科技CF光刻胶已通过华星光电验证。目前，半导体光致抗蚀剂技术远远落后于国外先进技术。只有生产线和生产线的产品进入下游供应链。目前，北京柯华KrF(248纳米)光刻胶已通过SMIC国际认证，ArF(193纳米)光刻胶正在积极研发中。(来源:深港证券)