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结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而
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第二章 辐射与非辐射复合 下载积分:2000 内容提示:第二章 辐射与非辐射复合 文档格式:DOCX|浏览次数:12
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