9年9月28日平西剧。据cnBeta报道，26日，ARM和领先的代工企业TSMC联合发布了业内首款7纳米小芯片系统，该系统采用TSMC先进的CoWoS封装解决方案、内置ARM多核处理器，并通过硅片验证。
TSMC表示，这款经过概念验证的小芯片系统成功展示了构建高性能片上系统(SoC)的关键技术，支持7纳米鳍场效应晶体管工艺和4千兆赫ARM内核。同时，还向系统单芯片设计者展示了芯片在4G赫兹下的内置双向交叉核网状互连功能，以及在TSMC CoWoS内插器上以8Gb/s速度互连小芯片的设计方法。
TSMC进一步指出，与传统的系统单芯片不同，在传统的系统单芯片中，集成系统的每个组件都放置在单个裸芯片上，将大尺寸多核设计分配给更小的小芯片设计可以更好地支持当今的高性能计算处理器。
小芯片必须能够通过密集、高速和高带宽的连接相互通信，以确保最佳性能水平。为了克服这一挑战，该小芯片系统采用了TSMC开发的独特的低电压封装互连技术，数据传输速率为8GB/s/引脚，具有出色的能效。
此外，该小芯片系统构建在CoWoS内插器上，由两个7纳米的小芯片组成。每个小芯片包括四个ARM Cortex-A72处理器和一个内置的跨内核网状互连总线。小芯片互连的功耗优势为0.56 pJ/位，带宽密度为1.6Tb/s/mm2，0.3v LIPINCON接口速度为8GT/s，带宽速率为320 Gb/s该小芯片系统于2018年12月完成产品设计，并于2019年4月成功生产