公布重要事项_ 美光宣布开始使用1z纳米工艺，同时开始量产大容量移动内存颗粒

美光于8月15日宣布将以1z纳米工艺开始生产DRAM粒子，同日宣布大容量LPDDR4X存储粒子被批量生产，提供NAND和DRAM两种粒子封装的芯片。

DRAM制造行业流程的更新比制造计算芯片慢，镁光的1z纳米流程是他们10纳米节点的第三代流程，是6月美光第三季度财务报告会议的准备文件，他们将已经进入1z纳米流程作为下一年度的重要事项。 同时他们实际进入1z纳米过程的时间也比内部时间表要快得多。

对于DRAM，更新过程能够产生更大的单片容量存储器粒子并且更省电。 首先采用1z纳米工艺的产品是美光新的16Gb容量的DDR4和lpdra4x存储粒子，特别是后者，对于当前移动终端越来越大的存储大小和带宽需求，容量大、速度高、能耗更低的存储粒子是移动生产商的最爱 美光的大容量lpdra4x粒子正赶上英特尔IceLake处理器开始运行的新处理器支持频率为3733MHz的LPDDR4X存储器，在中高端的薄型笔记本市场上，美光的新粒子也有很大的市场。

对于大容量的DDR4粒子来说，其用途多用于制造大容量的记忆棒，目前单一32GB产品并未成为台式机的主流产品，但对于工作站和服务器来说，需要这种大容量的记忆棒。

提供8x16Gb或16GB大小的存储器，最高频率可达到4266MT/s，同时美光提供基于UFS的多芯片封装——uMCP4，可以将NAND和DRAM集成在一个封装中，现在为64GB 3GB和256GB 8GB