不间断电源时代IGBT模块的保持效应

在分析保持效应之前,首先回顾假设没有保持效应的1GBT的工作原理。

实际负荷容量、负荷类型、容量利用率、环境条件、不间断电源类型和实际负荷容量、潜在扩展需求等。

当UCE < 0时,JBOY3乐队反向偏置,类似于反向偏置二极管,IGBT反向阻断

不同类型的负载具有不同的有功功率和无功功率比,但不间断电源需要同时向负载提供足够的有功功率和无功功率,因此实际输出容量受到负载类型的限制。

当UCE > 0时,在ug < uth的条件下,通道未形成,IGBT向前受阻。当ug > 0时,形成栅极沟道,N+区的电子通过沟道进入N漂移区,如有必要,输出电容可通过UPS并联机倍增同时,在配置不间断电源的输入输出配电柜时,要为电缆和空开关预留一定的余量,以便将来扩展。

漂移到JBOY3乐队结,此时JBOY3乐队结正向偏置,空穴注入n区,从而在n区产生电导调制,使1GBT正向导通关闭

周宜诺

1GBT在不间断电源断电的情况下,设备可以正常工作,不会造成设备死机和相关重要数据丢失。在市电正常的情况下,我们的不间断电源具有稳压、抗干扰、防波形失真、防雷击等功能。当1GBT处于导通状态时,ug = 0 < um。当栅极电压降至零时,沟道消失,通过沟道的电子电流为零,导致集成电路突然下降。然而,由于大量电子和空穴对注入n区,Ic不会立即为零,而是会有拖尾时间。

周宜诺

lGBT是一种四层结构,体内有一个寄生体管。其等效电路如图2-69所示。在V2的基极和发射极之间有一个扩展电阻r,在该电阻上,p型体区的横向空穴将产生一定的电压降,这相当于J2结的正偏置电压在规定的漏电流范围内,避免了负载电流对不间断电源的影响,延长了不间断电源的使用寿命。

的停机顺序可视为启动顺序的相反过程。首先,逐个关闭负载,然后关闭不间断电源然后寄生晶体管导通,栅极失去控制。这就是所谓的IGBT效应。在停留效应发生后,漏极电流增加,导致过度损耗和损坏。可以看出,漏极电流具有临界值mw,并且当I > imw时,将发生阻塞效应。

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