显存_第三代HBM2E显存标准公布，三星首发

本周，固态存储协会(JEDEC)发布了HBM2存储标准JESD235C的第三版，将引脚带宽提高到3.2千兆位/秒，前两个版本的引脚带宽分别为2千兆位/秒和2.4千兆位/秒，环比增长33%根据设计规范，单芯片最大2GB，单堆栈12芯片(无标准高度限制)，即24GB容量，匹配1024位位宽和单堆栈理论最大带宽410 GB/s对于支持4个堆栈(4096位)的图形芯片，总带宽高达1.64 TB/秒第三代HBM2的电压与上一代相同，为1.2V，低于第一代的1.35V

简单比较一下，高端专用显示器常用的256位GDDR 6的总带宽为448千兆位/秒，是根据14千兆位/秒的引脚带宽计算得出的，这是第三代HBM2的堆栈级别。考虑到HBM2更容易扩展总线宽度，GDDR6并没有达到预期效果。此外，单个堆栈的最大容量可以达到24GB，四个堆栈可以达到100GB。事实上，三星和SK Hynix早些时候已经提出了3.2Gbps的第三代HBM2，并将其更名为HBM2E，JEDEC也默认了这一点。

在JESD235C标准发布的同时，三星宣布第三代HBM2(HBM2E)存储芯片Flashbolt(前两代是Flarebolt和Aquabolt)将于今年上半年批量生产，单个最大容量为16GB，单个芯片16Gb堆叠在8层中。三星的第三代HBM2E甚至支持超频，单引脚加速至4.2千兆位/秒，单堆栈最大带宽为538千兆位/秒。

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